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单晶硅相关区别

单晶硅与多晶硅在形成过程中存在显著差异。当纯硅在熔融状态下冷却，如果硅原子形成单一晶面取向的晶体，即形成单晶硅，其结构呈现出金刚石般的有序排列。相比之下，如果晶核生长出晶面取向各异的晶粒，就会形成多晶硅，其晶体结构相对较为杂乱。

在物理性质上，单晶硅表现出优于多晶硅的特性。单晶硅的力学和电学性能通常更为优异，因此在半导体器件制造中，如电子计算机和自动控制系统，对硅的纯度要求极高，通常需要达到九个9或以上。目前，单晶硅的纯度已能提升至十二个9，这是多晶硅无法比拟的纯净度。

高纯度硅的提取通常从石英石开始，通过一系列工艺，包括石英砂的冶炼、提纯和精炼，然后沉积为多晶硅锭，进一步经过单晶炉加工成单晶硅。然而，这个过程中存在技术瓶颈，我国尚未掌握“三氯氢硅还原法（西门子法）”的精炼技术，导致多晶硅提纯成本高且环境污染严重。

尽管我国大量出口工业硅，以每公斤1美元的价格，但这些硅被加工成高纯度晶体硅材料后，价格会上升至46-80美元/公斤，主要流向美国、日本和德国等国家的太阳能企业，用于制造高纯度的硅片。

扩展资料

硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。